تأثیر میدان الکتریکی بر رشد نانومیله های اکسید روی

چکیده تمام نما در این پایان نامه، شیوه ای نوین برای تولید نانومیله های بسیار متراکم zno به روش pvd ارائه شده است. ابتدا فیلم نازک zn به روش تبخیر حرارتی، در خلأ mbar 5-10 در سامانه لایه نشانی در خلأ بر روی زیرآیند شیشه و سیلیکون نشانده شده است. تصاویر fesem این نمونه ها مورد بررسی قرار گرفت و مشاهده شد که بطور کلی نمونه های رشد یافته روی زیرآیند شیشه لام از نظم، تراکم و همراستایی بیشتری برخوردارند. سپس در دمای ?550 به مدت 3 ساعت تحت شار lit/min1 اکسیژن حرارت دیده و تصاویر fesem نانومیله های حاصل بررسی شد. در حین لایه نشانی از میدان های الکتریکی v/m 0، 1160، 2900، 10000 و 100000 استفاده کردیم و موفق به تولید نانوشیت های بسیار متراکم و همراستا شدیم. همچنین اثر زاویه را بر چگونگی انباشت لایه و رشد نانومیله ها مورد بررسی قرار دادیم و ملاحظه شد که نمونه های رشد یافته روی زیرآیند عمود از همراستایی و نظم بیشتری برخوردار هستند. به منظور تولید نانومیله های هم راستا و بسیار متراکم، میدان الکتریکی v/m100000 را در حین پخت درون کوره اعمال نمودیم. در پایان هم برای مشاهده اثر کاتالیست بر رشد نانومیله ها از یک لایه طلا بر روی نانوشیت های zn تولید شده در میدان الکتریکیv/m2900استفاده نمودیم و سپس نمونه حاصل را در کوره پختیم و ملاحظه شد که نانوتسمه ها بجای نانومیله ها رشد یافته اند و کاتالیست طلا نظم و همراستایی نمونه را از بین برده است.